Pomnilniška revolucija je pred vrati

Na konferenci IDF 2015 je Intel poskrbel za znatno navdušenje tehnične javnosti. V prihodnjem letu nam Intel in Micron pripravljata prav posebno presenečenje. Razvila sta novo tehnologijo pomnilnika 3D Xpoint, ki se ponaša s povsem novo pomnilniško arhitekturo.

Izdelki v obliki pogonov PCIexpress ter modulov DDR4 obetajo, da bodo novi pomnilniki do tisočkrat hitrejši in vzdržljivejši od NAND-čipov, ki jih danes najdemo v pogonih SSD, obenem pa do 10x gostejši od pomnilnikov DRAM. Obenem izdelki Intel Optane na novi arhitekturi ne trpijo za pomanjkljivostmi čipov NAND, saj obljubljajo skoraj identične hitrosti branja in zapisovanja podatkov. Sprva bodo novotarij deležna poslovna okolja in podatkovni centri.

Demonstracija na sejmu IDF je pokazala, da prototip zmore med 5- do 7-krat več IOPS kot današnji najhitrejši pogoni SSD. Prva generacija pomnilnikov naj bi postregla s štirikrat večjo gostoto/zmogljivostjo ob polovični ceni v primerjavi s trenutnimi pomnilniki DDR.